BJT相关论文
近日,安森美半导体宣布,进一步拓展其在业内领先的低饱和电压(Vce(sat))双极结晶体管(BJT)产品系列至WDFN6、WDFN3、SOT-23、SOT-5......
为了获得4H-SiC横向BJT器件高耐压下的高电流增益,文中通过降低漂移区的掺杂浓度(NDRI),使得漂移区内靠近基极方向的电场强度降低,......
提出一种高阶通用对数滤波器的设计方法。通过分析与利用n阶通用电流模式滤波器的传递函数,建立一种新的系统状态空间表达,使用模......
对Hefner的IGBT模型静态部分进行了详细的理论分析.由于IGBT中含有宽基极、低增益的晶体管,因此采用双极性传输方程来描述IGBT电流.......
从基本单元的设计和电路的组成来分析VLSI的设计一般规则,然后对TIL、ECL、PL、CMOS等基本门电路加以讨论,最后简单介绍了半定制、全......
晶体三极管是模拟电子技术课程中的基础元器件,有着复杂的非线性输入输出特性,既是教学重点,也是教学难点.针对教学中难以用数学方......
本文根据加MESFET或BJT的三端口结构,解决了不同端口基准的[S]参数转换,为微波电路设计提供了一个有用的基本工具模块.......
本文为晶体管引入小信号跨导模型,从而使晶体管的小信号模型与场效应管的小信号模型取得一致,低频模型与高频模型获得统一,电路的......
文章借助Matlab工具对超大规模集成电路(VLSIC)中小尺寸双极型晶体管(BJT)的共基极接法、共发射极接法的输入、输出特性进行了数值分析......
随着BJT尺寸的缩小以及BJT广泛应用于高速和RF电路,有效及准确的BJT电路设计要求更加精确的等效电路模型。通过介绍模型的基本原理......
对BJT参数测试仪中数控微电流源进行研究与设计。系统采用Howland电流泵构成高精度V/I转换器,V/I转换器输入为数/模转换器的输出电压,微......
传统基准电路主要采用带隙基准方案,利用二级管PN结具有负温度系数的正向电压和具有正温度系数的yBE电压得出具有零温度系数的基准......
主要介绍了三极管反向偏压安全工作区(RBs0A)测试仪的硬件结构和相应的软件实现。该测试仪主要基于三极管的RBSOA及三极管的开关原理......
介绍了一种应用于低电压的微波双极性晶体管放大器的电路设计方法。通过分析微波晶体管的模型,比较了小信号法、负载牵引法和文中......
本设计采用单片机AT89C2051作为中心控制单元,设计出了自动判别三极管管脚、类型的电路。该电路能迅速自动识别常见中小功率三极管......
三维全热程热电一体地模拟了Si BJT微波功率器件,热场计算包括从芯片的有源区经芯片-粘接层-基片-粘接层-底座直到固定于70度的安装台面......
比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益β的变化.在Vbe≤0.5V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的放大倍数辐照损伤因子d(β)......
研究了BJT的反向导通问题,分析了BJT在反向导通情况下应用于电视机行扫描电路和黑电平箝位电路的两个实例.......
在传统双极性晶体管(简称BJT)的Gummel曲线中电流增益β都只有一个波峰(简称单峰),然而现在实验室实测数据得到BJT的增益特征曲线出现......
商务日语能力考试(ビジネス日本語テスト。以下简称BJT)是中国教育部海外考试中心认可的日语水平考试。本考试客观地测试考生在各......
MOSFET和BJT三极管是"模拟电子技术"课程中的重难点,本文探讨了思维导图法在三极管教学中的应用.通过帮助学生使用思维导图总结MOS......
提出了一种1.2V低电源电压全BJT任意阶低通对数滤波器的设计方法。该方法是由传输函数直接设计低通对数域滤波器,得到最优的BJT跨导......
本文通过对BJT和FET工作原理和结构的分析及类比,将BJT构成的放大电路的分析方法通过一定的变换直接用于FET构成的放大电路的分析。......
提出了一种利用第二代电流控制电源传送器(CCCⅡ)设计对数域乘法器的方法。该电路采用了四个CCCⅡ、两个双极型晶体管、几个外接电阻......
BJT的特性曲线尤其是其输出特性曲线对于初学者而言较为抽象、难理解,而只有掌握了其特性曲线,才能对BJT构成的放大电路更容易的加......
提出了1种应用于SiC BJT脉冲放电的快速驱动电路,采用电容储能的思想设计了SiC BJT驱动电路和脉冲放电电路。脉冲放电时,整个电路......
为降低碳化硅(SiC)双极型晶体管(BJT)开关过程中的总损耗,针对SiC BJT典型的双电源阻容驱动电路,研究了考虑回路寄生参数情况下SiC......
高功率微波的输出功率达到GW甚至十GW水平,已经成为电子系统的重要威胁。低噪声放大器作为射频前端的核心器件以及最脆弱的器件,极......
ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
信号的放大需要放大电路工作在其近似的线性条件下才有意义.借助数学方法,对构成放大的电路的重要器件BJT和MOSFET的非线性进行了对......
宽禁带半导体材料由于其具有更大的击穿电场而成为下一代电力电子器件的焦点,其中以Si C材料和器件的发展尤为突出。本文从开关损......
本文在简述了光接收机的概况后,讨论在采用PIN光检测器时提高光接收机灵敏度的途径。本文的主要研究工作为: 1.引入参量L,将高阻接......
电路仿真分析是电子电路设计中重要的环节之一。通过Pspice软件对PN结伏安特性,二极管钳位电路及三极管共射极放大电路进行仿真分......
期刊
介绍了LDMOS功率器件的特性,通过与传统Si功率器件相比较,LDMOS器件具有低成本、高增益、高线性度、热稳定性好和高可靠性等特点,......
碳化硅(Silicon Carbide,SiC)具有高的临界电场、宽的禁带宽度和高的热导率等性能,这些优越的性能使其有望取代硅成为制造下一代功率......
低温半导体技术在航空航天领域中有重要地位,航空航天飞行器在低温环境下良好稳定的工作状态成为现今重点的研究课题和发展方向,这......
碳化硅(Silicon Carbide, SiC)作为一种第三代半导体,具有禁带宽度大、临界击穿电场大、热导率大,使其特别适用于高温高压等领域中......
碳化硅(SiC)双极型晶体管(BJT, Bipolar Junction Transistor)由于不存在二次击穿的问题,以及没有4H-SiC JFET器件的栅极驱动的问......
外延生长是制作4H-SiC器件的关键工艺之一,外延层的质量直接决定了器件的性能。本文研究了4H-SiC外延生长与BJT器件特性的关系,设计......
射频功率放大器是无线发射机前端的主要组成部件。随着移动通信技术的发展,对功率放大器线性度的要求也越来越高。目前常用的线性......
学位
探讨了将BJT和FET的三种基本放大电路放在一起进行对比教学的方法.在工程近似分析时,采用低频混合π型等效电路并忽略晶体管的rbb......
叙述了硅锗基区异质结双极晶体管的研究发展现状,分析了该晶体管的结构机理,特点及制造技术,并且阐述了该器的发展前景。......